система перемешивание

Реферат: Жидкостное химическое травление - BestReferat.ru - Банк рефератов, дипломы, курсовые работы, сочинения, доклады Духи со сверхсекретными ароматами - Секса, Любви, Ночного Клуба, Звёздной тусовки... Соблазни за 1 раз! Читать » Банк рефератов содержит более 80 тысяч рефератов, курсовых система перемешивание дипломных работ, шпаргалок система перемешивание докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому. Поиск Всего работ: 89253 Разделы Авиация система перемешивание космонавтика (133)Административное право (181)Арбитражный процесс (39)Архитектура (161)Астрология (4)Астрономия (247)Банковское дело (535)Безопасность жизнедеятельности (802)Биографии (3547)Биология (1219)Биология система перемешивание химия (877)Биржевое дело (99)Ботаника система перемешивание сельское хоз-во (248)Бухгалтерский учет система перемешивание аудит (1067)Валютные отношения (86)Ветеринария (57)Военная кафедра (295)География (2638)Геодезия (77)Геология (420)Геополитика (56)Государство система перемешивание право (801)Гражданское право система перемешивание процесс (645)Делопроизводство (33)Деньги система перемешивание кредит (134)Естествознание (121)Журналистика (49)Зоология (54)Издательское дело система перемешивание полиграфия (206)Инвестиции (164)Иностранный язык (2437)Информатика (132)Информатика, программирование (3437)Исторические личности (518)История (5928)История техники (588)Кибернетика (105)Коммуникации система перемешивание связь (102)Компьютерные науки (112)Косметология (21)Краткое содержание произведений (896)Криминалистика (166)Криминология (72)Криптология (10)Кулинария (124)Культура система перемешивание искусство (3036)Культурология (672)Литература : зарубежная (128)Литература система перемешивание русский язык (5733)Логика (78)Логистика (37)Маркетинг (444)Математика (1546)Медицина, здоровье (4396)Медицинские науки (145)Международное публичное право (84)Международное частное право (40)Международные отношения (197)Менеджмент (1966)Металлургия (130)Москвоведение (513)Музыка (941)Муниципальное право (51)Налоги, налогообложение (316)Наука система перемешивание техника (1949)Начертательная геометрия (4)Новейшая история, политология (85)Оккультизм система перемешивание уфология (9)Остальные рефераты (1199)Педагогика (1438)Полиграфия (1)Политология (900)Право (2438)Право, юриспруденция (595)Предпринимательство (669)Промышленность, производство (225)Психология (2768)психология, педагогика (1610)Радиоэлектроника (836)Реклама (895)Религия система перемешивание мифология (1622)Риторика (33)Сексология (695)Социология (1220)Статистика (98)Страхование (146)Строительные науки (21)Строительство (11)Схемотехника (17)Таможенная система (64)Теория государства система перемешивание права (304)Теория организации (63)Теплотехника (33)Технология (822)Товароведение (21)Транспорт (341)Трудовое право (188)Туризм (127)Уголовное право система перемешивание процесс (535)Управление (119)Управленческие науки (58)Физика (779)Физкультура система перемешивание спорт (1289)Философия (3310)Финансовые науки (35)Финансы (521)Фотография (4)Химия (630)Хозяйственное право (29)Цифровые устройства (36)Экологическое право (51)Экология (1847)Экономика (4287)Экономико-математическое моделирование (208)Экономическая география (177)Экономическая теория (1097)Эргономика (1093)Этика (73)Юриспруденция (744)Языковедение (206)Языкознание, филология (582) Секреты любви для женщин Как не думать о сексе В погоне за мечтой Уж замуж невтерпеж Трое в спальне, не считая хозяйки Ты фригидна? Это прелестно! Работаем язычком Секс в летнюю ночь Секс система перемешивание музыка "Голая правда о мужчинах" www.Referatik.Ru - Дипломы, Курсовые система перемешивание Рефераты на Заказ! Без предоплаты, Индивидуально система перемешивание Не Интернет! Тел: (495) 223-11-00 с 11 до 18 ч. Подробнее Реферат: Жидкостное химическое травление Название: Жидкостное химическое травление Раздел: Рефераты по химии Тип: реферат Добавлен 10:19:30 25 сентября 2005 Похожие работы Просмотров: 515 Комментариев: 0 Оценило: 0 человек Средний балл: 0.0 Оценка: неизвестно Скачать Калужский Филиал Московского Государственного Технического Университета им. Н. Э. Баумана Отчет по технологической практике на тему: “ Жидкостное химическое травление “ студент: Тимофеев А. Ю. руководитель: Парамонов В. В. 1996 г. г. Калуга. Содержание. стр. 1. Введение. 3 1.1. Термодинамика травления. 5 1.2. Общие принципы кинетики травления. 8 1.3. Феноменологический механизм травления. 9 2. Жидкостное травление. 11 2.1. Травление SiO2. 11 2.2. Травление кремния. 14 2.3. Травление многослойных структур. 19 2.4. Травление алюминия. 20 2.5. Травители для алюминия. 21 2.6. Электрохимическое травление. 23 3. Практические аспекты жидкостного химического 23 травления. 3.1. Другие характеристики травления. 24 4. Заключение. 25 5. Список литературы. 26 Введение.Травление используется для селективной (химической) прорисовки диффузионных масок, формирования изолирующих или проводящих областей, в процессе которого вещество в области, подвергаемой травлению, химически преобразуется в растворимое или летучее соединение. В литографии травление применяется в основном для формирования диффузионных масок в слое термически окисленного кремния или для удаления материала через окна в диэлектрике при изготовлении металлических контактов. Металлическая разводка формируется путем селективного удаления промежутков (обращения изображения); фотошаблоны также изготавливаются травлением металлических пленок. Задача инженера-технолога состоит в том, чтобы обеспечить перенос изображения с резистной маски в подложку с минимальным отклонением размера (Е) система перемешивание допуском ((Т) (см. рис. 1). Из рисунка видно, что суммарное изменение размера при литографии Е обусловлено искажением изображения в резистной маске ((0.1 мкм), уходом размера в резисте ((0.5 мкм) система перемешивание уходом окончательного размера в процессе травления (1.0 мкм с допуском в (1.0 мкм. [pic] Рис. 1. Изменение размеров при переносе изображения из резиста в подложку с помощью изотропного травления. В зависимости от кристалличности пленки система перемешивание целостности резиста (отсутствие отслоений при жидкостном система перемешивание эрозии при плазменном травлении) уход размера может достигать толщины пленки D система перемешивание даже превышать ее. Изотропное жидкостное травление, для которого характерно большое боковое подтравливание (L), пришлось заменить газофазным анизотропным травлением, для которого D/L((1 (рис. 2). Изотропное травление происходит неупорядоченно, с одинаковой скоростью по всем пространственным направлениям - L система перемешивание D. Анизотропное травление проявляется при некоторых отклонениях от изотропного процесса. Желательно, чтобы глубина травления (D) была много больше величины бокового подтравливания (L). Поскольку травление в вертикальном направлении при достижении глубины D прекращается, перетравливание определяется только скоростью удаления материала в боковом направлении. Степень анизотропии можно определить как отношение L/D, система перемешивание ее величина зависит от многих физических параметров. Жидкостное травление определяется в основном статическими характеристиками типа адгезии система перемешивание степени задубленности резиста, состава травителя система перемешивание т.п. При сухом травлении степень анизотропии во многом зависит от таких динамических параметров, как мощность разряда, давление и скорость эрозии резиста. Величина бокового подтравливания в случае жидкостного травления зависит от предшествующих стадий обработки - подготовки поверхности система перемешивание термозадубливания.[pic] Рис. 2. Анизотропное (слева) система перемешивание изотропное (справа) травление. R-резист, S-полложка. Используя жидкостное травление или недавно разработанный система перемешивание боле предпочтительный метод плазменного сухого травления, можно формировать различные профили в пленках. Жидкие травители дают изотропные или скошенные профили . Скошенный профиль края лучше подходит для последующего нанесения полости металла поперек такой ступеньки. [pic] Ширина линии в скомпенсированной маске М, мкм Рис. 3. Связь компенсации (уменьшение размеров окон в маске), необходимый при изотропном система перемешивание анизотропном (D/L>2) травлении.Для компенсации подтрава при изотропном жидкостном травлении размеры элемента на фотошаблоне следует уменьшать. На рис. 3 показана компенсация размера окон в шаблоне для разных степеней анизотропии травления. Для обычного изотропного травления D/L равно 1 (без разрушения резиста система перемешивание при хорошей адгезии). Для того чтобы ширина полосы была равна (е, размер перенесенного в резист изображения (r должен быть меньше на удвоенную величину бокового подтрава (L): (r=(е-2L. (1)[pic]Рис. 4. Сравнение жидкостного (W) система перемешивание плазменного (Р) травления.В обоих случаях травление производится через маску Si3N4 толщиной 0.25 мкм.для получения 1-мкм линии при умеренно анизотропном травлении (D/L=3) изображение в резисте следует делать на 0.2 мкм меньше 1 мкм, система перемешивание ширина элемента на шаблоне (М) должна быть увеличена примерно на 0.05-0.1 мкм для компенсации ухода размера при формировании резистной маски. Если же D/L=10, то полоса шириной 1 мкм может быть подтравлена через резистное окно шириной 0.7 мкм. разница в характеристиках компенсации размера изображения в резисте для сухого система перемешивание жидкостного травления Si3N4 ясно видна на рис. 4.Термодинамика травления. С точки зрения химии процесс травления можно представить схемой твердая фаза+травитель(продукты; при этом к твердой фазе относят кремний, его оксиды система перемешивание нитриды система перемешивание многие металлы. Для межсоединений внутри кристалла обычно применяют Al система перемешивание его сплавы с Si система перемешивание Cu, причем основным материалом для первого уровня металлизации является Al (табл. 1). Слои оксидов кремния можно выращивать термически, наносить химическим способом или распылением, можно также легировать их фосфором или бором. Металлы используются в виде чистых или пассивированных пленок, сплавов, многослойных структур система перемешивание интерметаллидов. Поскольку кремний существует в виде монокристаллических или поликристаллических пленок, его структура, как система перемешивание структура других кристаллических материалов, имеет система перемешивание ближний система перемешивание дальний порядок. Поскольку травление переводит упорядоченные структуры в неупорядоченные, термодинамические соображения о поведении свободной энергии (F системы должны учитывать изменения как энтропии +(S, так система перемешивание энтальпии (Н (теплоты растворения или испарения) (F=(Н-Т(S. (2) Например, реакция травления аморфного оксида кремния является эндотермической, (Н=+11 ккал/моль: SiO2(тв.)+6HF(ж.)(Н2SiF6+2H2O. (3) Таблица 1. Материалы полупроводниковой электроники. | | | |Проводники |Ag, Al, Au, Cr, Cu, Mo, Ni, Pb, Pt, Ta, | | |Ti,W | |Полупроводники |Si, Ge, GaAs | |Диэлектрики |SiO2, Si3N4, резист, полиимид | Преодоление короткодействующих сил в амфорном твердом теле сопровождается ростом энтропии. Небольшие дефекты, такие, как напряжение, деформация, примесные уровни, также оказывают влияние на скорость травления. В кристаллическом кремнии скорость травления плоскостей с малыми индексами Миллера определяется числом свободных связей система перемешивание кристаллографической ориентацией (табл. 2). Таблица 2. Влияние ориентации на травление кремния. |Кристаллографическая |Относительное число |Относительная скорость| |плоскость |свободных связей |травления | | | | | |(111) |0.58 |0.62 | |(110) |0.71 |0.89 | |(100) |1.00 |1.00 | Переход металла или кремния в растворимое состояние включает в себя ионизацию металла (определяемую потенциалом ионизации) система перемешивание перенос электрона к соответствующему восстановителю с высоким сродством к электрону М(тв.) (Мn+(ж.)+ne. (4) Реакция эта трехстадийная: М(тв.) (М(газ) сублимация, (5) М(газ) ( Мn+(газ)+ne ионизация, (6) Мn+(газ)+Н2О ( Мn+(ж.) гидратация. (7) Изменение энтальпии при сублимации система перемешивание ионизации положительно (эндотермические реакции), но гидратация экзотермична (отрицательное (Н). При газофазном травлении для распыления металла путем его сублимации кинетическая энергия частиц травителя (энергия травления) должна передаваться металлу из газовой фазы. При погружении металлического образца в раствор, содержащий его собственные ионы (уравнение 4), ионы металла переходят в раствор (рис. 5), система перемешивание образец приобретает отрицательный заряд. Метал образует, таким образом, свой собственный анод. система перемешивание ионы Мn+ притягиваются к нему, формируя двойной электрический слой (слой Гельмгольца). разность потенциалов в нем называется [pic] Рис. 5. Двойной слой Гельмгольца на границе металла в равновесии с ионами металла в жидкой фазе (М+) система перемешивание анионами (Х-).абсолютным электродным потенциалом. Стандартные окислительные система перемешивание восстано- вительные потенциалы можно найти в литературе по электрохимии. На катоде происходит уравновешиваю-щее окисление, система перемешивание катодную реакцию в растворе можно записать следующим образом: ne+ Xn- (Xn. (8) итоговое приращение свобод-ной энергии, (F, составляет (F=-nФ(Е, (9) где (Е есть разность анодного система перемешивание катодного потенциалов, а Ф-число Фарадея. Величина изменения свободной энергии зависит от: 1) чистоты металла, его кристаллической структуры, наличия напряжений, метода осаждения система перемешивание состава примесей; 2) активности ионов металла в растворе; 3) ионной силы электролита; 4) температуры; 5) состава растворителя. При травлении диэлектриков переноса электронов не происходит, система перемешивание реакции в этом случае имеют кислотно-основный характер: SiO2+6HF (H2SiF6+2H2O, (10) SiO2+CF4(газ) (SiF4+CO2. (11) Si(O-связь заменяется связью Si(F. Поскольку энергии связей Si(O система перемешивание Si(F близки, знак изменения энтропии определяет, пройдет реакция или нет. Общие принципы кинетики травления.Гетерогенные твердофазные реакции затрагивают различные разделы химии, механики система перемешивание физики. Типичный процесс включает в себя следующую последовательность реакций: 1) перенос реагента; 2) адсорбция реагента (Нads; 3) реакция на поверхности (F; 4) десорбция продуктов (Нvap; 5) перенос продуктов. Самый медленный этап определяет скорость реакции. В реакциях низшего порядка Скорость=k нулевой порядок, (12) Скорость=kE первый порядок. (13) скорость зависит от концентрации травителя (Е) только в случае реакции первого порядка. При выборе той или иной реакции травления стараются остановиться на процессе с наименьшим количеством параметров и преимущественно линейными скоростями травления. Желательно также иметь возможность изменения анизотропии регулированием физических параметров и высокую селективность процесса (т. е. отсутствие воздействия травителя на резист или слой, находящийся под стравливаемой пленкой). В реакциях нулевого порядка слабое обеднение травителя несущественно. Однако в реакциях первого порядка мы не имеем достаточного избытка травителя, система перемешивание он может сильно истощиться при загрузке десяти или более пластин. В реакциях простого порядка зависимость толщины стравленной пленки (или логарифма толщины) от времени линейная. Поэтому окончание реакции может контролироваться система перемешивание точно определяться экстраполяцией. Рассмотрим механизм переноса для двух основных типов реакций - диффузионно- контролируемых система перемешивание ограниченных скоростью реакции. Вообще говоря, в процессе травления могут быть вовлечены все три агрегатных состояния вещества: 1) твердая фаза ( скрытая химическая энергия система перемешивание физическая структура пленки; 2) жидкая фаза ( перенос ионов в жидком диэлектрике, обладающем высокой вязкостью; 3) газообразная фаза ( хемосорбция, рекомбинация, ионизация и средний свободный пробег газовых частиц при пониженном давлении. Феноменологический механизм травления. Переход от твердой фазы к жидкой или газообразной твердая пленка+ травитель (k( продукты (14) зависит от диффузии взаимодействующих веществ SiO2(тв.)+6HF(жидк.) ( H2SiF6+2H2O, (15) SiO2+CF4 ( SiF4+CO2. (16) Пусть r есть соотношение молярных объемов r=(m/d)/(M/D), (17) где m система перемешивание М - молекулярные веса продукта система перемешивание травителя, система перемешивание d система перемешивание D - соответствующие плотности. Тогда, если r>1 (как при травлении стекла), продукт не покрывает полностью твердую поверхность (рис.6). Поскольку продукт не препятствует проникновению травителя, скорость травления определяется скоростью реакции травителя с твердой поверхностью [k в уравнении 14]. Энергии активации при этом порядка 7 - 20 ккал/моль. В случае r1, уравнение 17]; 2) химический процесс на поверхности настолько быстр, что конвекция и диффузия не могут обеспечивать достаточной концентрации реагента у поверхности, r>1. Наблюдаемая скорость является скоростью переноса (диффузии) к поверхности; 3) скорость диффузии система перемешивание химической реакции одного порядка (потребление реагента в реакции соизмеримо с его переносом в результате диффузии), однако концентрация реагента на поверхности не снижается на столько , чтобы сдерживать реакцию. Простейший пример уравнения для скорости - процесс типа (1) dM/dt= k1SC, (24) где S - площадь поверхности, С - концентрация травителя. Здесь предполагается, что скорость имеет первый порядок по отношению к концентрации травителя, система перемешивание не учитывается промежуточное поглощение система перемешивание влияние неровностей поверхности. В реакциях типа (2) необходимо учитывать эффективную толщину (() слоя градиента концентрации (рис. 8) система перемешивание применять закон Фика [уравнения 18 система перемешивание 19]: dM/dt=DSC/(=k2SC. (25) В процессах типа (3) предполагается, что концентрация травителя на поверхности равна Сs (s-(surface(): dM/dt=k1SCs=k2S(C-Cs). (26) Если разность эффективных площадей учитывается в k1, то dM/dt=k1k2SC/(k1+k2)=k3SC (27) Уравнения (24), (25), (26) формально представляют одно система перемешивание то же уравнение, и поэтому необходимо располагать экспериментальным критерием для различения трех описанных типов травления. Некоторые отличия приводятся ниже. Характерными признаками реакции, контролируемой диффузией, являются: 1) Энергия активации зависит от вязкости система перемешивание равна 1-6 ккал/моль [уравнение 23]. 2) Скорость реакции увеличивается при перемешивании реагента. Исключение составляет эффект автокатолиза NO при травлении кремния в HNO3. Продукты этой реакции (NO) способствуют ее же развитию. Интенсивное перемешивание приводит к уменьшению скорости реакции. 3) Все материалы независимо от ориентации кристаллических плоскостей травятся с одинаковой скоростью. 4) Энергия активации при перемешивании растет. Исключением является травление кремния в HNO3 ((H=100 ккал/моль), в ходе которого значительное количество тепла, выделяемое в результате экзотермической реакции, приводит к увеличению скорости диффузии система перемешивание скорости травления. Перемешивание в этом случае привело бы к уменьшению скорости травления из-за диссипации тепла. Характерными признаками процессов, контролируемых скоростью химической реакции [уравнение 24], являются: 1) зависимость скорости реакции от концентрации травителя; 2) отсутствие зависимости скорости от перемешивания; 3) энергия активации составляет 8-20 ккал/моль.Жидкостное травление. При жидкостном травлении металлов происходят окислительно-восстановительные реакции, система перемешивание в случае неорганических оксидов - реакции замещения (кислотно- основные).Травление SiO2. Амфорный или плавленый кварц,- это материал, в котором каждый атом кремния имеет тетраэдрическое окружение из четырех атомов кислорода. В стеклообразных материалах могут сосуществовать как кристаллическая, так и аморфная фазы. Напыленный кварц представляет собой аморфный SiO2 из тэтраэдров SiO4. В процессе реакции травления элементарный фтор может легко замещать атом О в SiO2, так как фтор обладает меньшим ионным радиусом (0.14 нм), чем Si(O (16 нм). Энергия связи Si(F в 1.5 раза превышает энергию связи Si(O. Ниже перечислены основные достоинства аморфных пленок SiO2, применяемых в полупроводниковой электронике: 1) хорошая диэлектрическая изоляция; 2) барьер для ионной диффузии система перемешивание имплантации; 3) низкие внутренние напряжения; 4) высокая степень структурного совершенства система перемешивание однородности пленки; 5) использование в качестве конформных покрытий, включая система перемешивание покрытия ступенек; 6) высокая чистота, однородная плотность система перемешивание отсутствие сквозных пор. Аморфный SiO2 различных типов получают методами химического осаждения из паровой фазы, распыления, окисления в парах воды. Из-за внутренних напряжений оксиды, осажденные различными способами, имеют различия в строении ближнего порядка, которые влияют на скорость травления (табл. 3). Таблица 3. Скорости травления SiO2 в буферном растворе (7;1) HF. | |Относительная скорость | |Метод получения оксида |травления (мкм/мин) | | | | |Термоокисление в парах воды1) |1.0 | |Анодный рост |8.5 | |Пиролитический |3-10 | |Распыление |0.5 | |Легированный оксид |3-5 | 1) Примерно 0.1 мкм/мин (20оС).Травление SiO2 в водном растворе HF через фоторезистную маску протекает изотропно благодаря эффекту подтравливания, который усиливается частичным отслаиванием резиста. Почти анизотропные вертикальные профили могут быть получены при использовании твердой система перемешивание свободной от напряжений масок из Si3N4 (рис. 9). Косые кромки получают при использовании 30:1 (по весу) раствора NH4F в HF. Ухудшение адгезии резиста или, наоборот, его хорошее сцепление (Si3N4) с поверхностью SiO2 может привести к возникновению трех различных профилей травления. Химия травления SiO2 включает нуклеофильное воздействие фторидных групп на связи Si(O. В буферном растворе HF (7 частей 40- процентной NH4F к одной части концентрированной HF) доминируют два типа частиц: [pic] Рис. 9. профили полученные при использовании жидкостного травителя 6:1 NH4/HF с различными масками: а-маска Si3N4; б-фоторезистная маска. В случае (в) травление в смеси 30:1 NH4F/HF проводилось через маску фоторезиста.HF (k1( H+ + F-, k1=10-3, (28) HF+F- (k2( HF-2, k2=10-1. (29) Основной частицей в буферном растворе HF является HF-2. Эта система чувствительна к перемешиванию и, скорее всего, является диффузионно- контролируемой. На рис. 10 показана линейная зависимость скорости растворения от концентрации HF-2 система перемешивание HF. Таким образом, скорость уменьшения толщины SiO2 равна d(SiO2)/dt=A(HF)+B(HF-2)+C, (30) где А, В система перемешивание С - постоянные, при 250С равные 2, 5 система перемешивание 9.7 соответственно. [pic] Рис. 10. Линейность скорости растворения SiO2 при 23оС. Неразбавленный раствор HF диссоциирует только до 10-3, система перемешивание скорость травления в нем примерно в 4 раза меньше (0.925 мкм/мин). Неразбавленный раствор HF является также хорошо проникающим веществом, система перемешивание поэтому он легко диффундирует сквозь резистную пленку, создавая в ней каналы система перемешивание случайные отслоения от подложки. Можно представить, что атака бифторидным ионом поверхности диоксида кремния включает промежуточное состояние [pic] Во взаимодействии HF с оксидом кремния участвуют, вероятно, поверхностные состоянии [pic][pic][pic] В конце концов фтор замещает кислород. Атомы водорода присоединяются к атому кислорода на поверхности SiO2, система перемешивание в координационную сферу SiF4 включаются два или более ионов фтора, так что в растворе образуется SiF62-. Окончательно реакция травления может быть представлена как 6HF + SiO2 ( H2SiF6 + 2H2O (31) Обнаружено, что при добавлении NH4F система перемешивание H2F6 к буферному раствору HF скорость травления увеличивается благодаря образованию HF2-. При этом накапливание H2SiF6 конкурирует с процессом образования осадка (NH4)2SiF6 : H2SiF6 + NH4F ( (NH4)2SiF6 + HF (32) Добавление более сильных нуклеофильных веществ (NH4Cl, -Br, -I) ведет к увеличению скорости (табл. 4), что свидетельствует о развитии процесса через нуклеофильное смещение. Таблица 4. Влияние галогена на скорость травления SiO2. |Буферный ион |Скорость травления (нм/сек) | | | | |F- |1.0 | |Cl- |2.0 | |Br- |2.3 | |I- |3.3 |Травление кремния. Травление кремния включает стадию окисления Si + [O] ( SiO2 + 14ккал/моль (33) и последующее травление SiO2 : 6HF + SiO2 ( H2SiF6 + H2O - 11ккал/моль (31) В травителе HF/HNO3 происходит реакция Si+2HNO3+6HF ( H2SiF6+2HNO3+ 2H2O+125ккал/моль (34) Для растворения каждого атома Si требуется две молекулы HNO3 система перемешивание шесть молекул HF. Если реакция контролируется диффузией, то максимальная скорость травления должна достигаться при молярном соотношении HNO3 система перемешивание HF, равном 1:3. Анализ зависимости Аррениуса для травления Si в HF/HNO3 обнаруживает излом (рис. 11), соответствующий изменению вида процесса от диффузионно- контролируемого к контролируемому скоростью реакции. Энергия активации диффузионно-контролируемого травления (6 ккал/моль) определяется диффузией HF через слой продуктов реакции. Значение этой энергии при травлении, контролируемом скоростью реакции (4 ккал/моль), определяется окислением кремния. Для диффузионно-контролируемого процесса произведение вязкость ( скорость постоянно [уравнение (21)]. Для управления вязкостью добавляется ледяная уксусная кислота (рис.12). [pic]Рис. 11. Зависимость скорости травления dM/dt от величины 1000/Т при травлении Si в HNO3/HF. [pic] Рис. 12. Зависимость произведения вязкости на скорость травления (((dM/dt) от температуры ля травления Si при использовании ледяной уксусной кислоты в качестве загустителя.При изотропном травлении кремния используются маски из нетравящихся металлов Si3N4 или SiO2 (иногда для неглубокого травления). Резист используется редко, так как HF(HNO3 быстро проникает через пленку. Для травления кремния использовались также щелочные травители Si + 2OH- + H2O ( SiO2 + 2H2 (35) Этилендиамин, гидразин система перемешивание OH- действуют как окислители, система перемешивание пирокатехин и спирты - как комплексообразующие агенты для SiO3+. Кроме того, водород может замедлить травление поликремния. Для удаления H2 с поверхности добавляют ПАВ. [pic] Рис. 13. преимущественное травление кремния вдоль кристаллографических направлений система перемешивание .Щелочные реагенты являются в основном анизотропными травителями с преимущественным воздействием на кристаллографические плоскости с малыми индексами. Плотность свободных связей (дефектов, обусловленных свободными незавершенными связями граничной кристаллической плоскости) для этих плоскостей находится в соотношении 1.00 : 0.71 : 0.58. Причина выбора (100) - ориентированного среза кремния для анизотропного травления заключается в том, что это единственная из основных плоскостей, в которой плоскости (110), (111), (100) система перемешивание (211) пересекаются с регулярной симметрией. Поэтому эта ориентация наиболее предпочтительна при травлении глубоких канавок в кремнии. Следует отметить, что геометрия поверхности, создаваемой изотропным травлением, будет зависеть от геометрии первоначальной поверхности, так как выпуклые поверхности ограничивают быстро травящиеся плоскости, система перемешивание медленно травящиеся плоскости останавливаются на вогнутой поверхности. В направлении скорость травления в 100 раз выше, чем в направлении . На рис. 13 показан пример преимущественного травления 54о- ой канавки в пересечении 110/100/111 смесью KOH изопропанола при 85оС. KOH система перемешивание изопропанол являются травителями с соотношением скоростей травления 55:1 для направлений система перемешивание . При добавлении к травителю спиртов, которые адсорбируются преимущественно на плоскости (111), можно осуществить анизотропное травление в других направлениях. Скорость травления лимитируется диффузией с энергией активации 4 ккал/моль, так как щелочь должна диффундировать сквозь барьер из комплексов кремния. [pic] Рис. 14. Анизотропное (а) система перемешивание изотропное (б) жидкостное травление эпитаксиального кремния.Другой травитель для моно- система перемешивание поликристаллического кремния состоит из этилендиамина система перемешивание пирокатехина система перемешивание имеет энергию активации 8 ккал/моль: 2NH2(CH2)2NH2+Si+3((OH)2 ( ( 2H2+Si((O2)3+2NH2(CH2)3NH3 (36) При добавлении к реагентам 1000 ppm (1 ppm=1часть на миллион) ароматического пиразина достигалось увеличение энергии активации до 11 ккал/моль система перемешивание селективности травления плоскостей (100) система перемешивание (111) с 10 до 20. Травление кремния применяется также с диагностическими целями для выявления точечных проколов SiO2. Кремний, легированный бором, травится медленнее нелегированного кремния. [pic] Рис. 15. Зависимость угла травления поликремния ( от содержания воды в травителе KOH/спирт/Н2О. Эффективность сглаживания поверхности поликремния в смеси KOH система перемешивание спирта зависит от содержания воды в травителе. В безводных спиртах получаются изотропные профили. Степень анизотропии определяется содержанием воды в травители (рис. 15). Изотропные травители для кремния перечислены в табл. 6. Краткие сведения об анизотропных травителях для кремния приведены в табл. 7. Таблица 5. Изотропное система перемешивание анизотропное травление кремния. | | | | |Травитель |Скорость травления, |Подтравливание | | |мкм/мин |(мкм/сторону)1) | | |PS |ES |BS |PS |ES |BS | |Изотропный2) |3 |4 |4 |1.5d |1.5d |1.5d | |Изотропный3) |0.8 |0.6 |0.5 |1.0d |1.0d |1.0d | |Анизотропный4) |0.7 |0.9 |1.1 |(0.1-1.| Оценить/Добавить комментарий: Имя: Оценка:НеудовлетворительноУдовлетворительноХорошоОтлично Работы, похожие на Реферат: Жидкостное химическое травление Жидкостное химическое травление Жидкостное химическое травление " Содержание. 1. Введение. 3 1.1. Термодинамика травления. 5 1.2. Общие принципы кинетики травления. 8 1.3 ... Травление SiO2 в водном растворе HF через фоторезистную маску протекает изотропно благодаря эффекту подтравливания, который усиливается частичным отслаиванием резиста. При изотропном травлении кремния используются маски из нетравящихся металлов Si3N4 или SiO2 (иногда для неглубокого травления). Раздел: Рефераты по науке система перемешивание технике Тип: реферат Просмотров: 14 Комментариев: 0 Похожие работы Оценило: 0 человек Средний балл: 0.0 Оценка: неизвестно Скачать Жидкостное химическое травление Содержание. 1. Введение. 1.1. Термодинамика травления. 1.2. Общие принципы кинетики травления. 1.3. Феноменологический механизм травления. 2 ... Травление SiO2 в водном растворе HF через фоторезистную маску протекает изотропно благодаря эффекту подтравливания, который усиливается частичным отслаиванием резиста. При изотропном травлении кремния используются маски из нетравящихся металлов Si3N4 или SiO2 (иногда для неглубокого травления). Раздел: Рефераты по химии Тип: реферат Просмотров: 204 Комментариев: 0 Похожие работы Оценило: 0 человек Средний балл: 0.0 Оценка: неизвестно Скачать Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики система перемешивание радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ... Кремний взаимодействует с кислородом лучше, чем с азотом, поэтому даже незначительное количество кислорода в рабочих газах (N2 система перемешивание Ar) приводит к образованию пленки окиси кремния ... В качестве травления для плёнок нитрида кремния используют состав из семи частей смеси 4%-го водного раствора NH4F система перемешивание одной части 49%-ой HF. Раздел: Рефераты по технологии Тип: реферат Просмотров: 1815 Комментариев: 0 Похожие работы Оценило: 1 человек Средний балл: 2.0 Оценка: неизвестно Скачать Кремний Министерство общего система перемешивание профессионального образования Новосибирский Государственный Технический университет. РГР по Органической Химии. "КРЕМНИЙ ... Наиболее широко распространённые соединения кремния - оксид кремния SiO2 система перемешивание производные кремниевых кислот, называемые силикатами. Большая энергия связи с кислородом Si-O, равная 464 кдж/моль (111 ккал/моль), обусловливает стойкость его кислородных соединений (SiO2 система перемешивание силикатов). Раздел: Рефераты по химии Тип: реферат Просмотров: 2242 Комментариев: 0 Похожие работы Оценило: 3 человек Средний балл: 4.3 Оценка: 4 Скачать Технология получения монокристаллического Si ... им. Баумана Физико-химические основы технологии электронных средств Реферат на тему: Технология получения монокристаллического Si Преподаватель: кремний является технологически удобным материалом: его легко обрабатывать, на нем легко получать диэлектрические пленки SiO2, которые затем успешно используются в технологических ... SiC(тв) + SiO2(тв) > Si(тв) + SiO2(газ) + CO(газ) (1) Раздел: Рефераты по радиоэлектронике Тип: реферат Просмотров: 1101 Комментариев: 1 Похожие работы Оценило: 2 человек Средний балл: 3.0 Оценка: неизвестно Скачать Полупроводниковые пластины. Методы их получения Введение Современные полупроводниковые приборы система перемешивание интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ... SiO2 в то же время практически стабилен по отношению к смесям HF+HNO3, что позволяет эффективно использовать его в качестве маски при селективном травлении кремния. 1 мкм при 1300°С требуется 15 ч. Процесс окисления кремния в атмосфере водяного пара ( гидротермальное окисление) харак- теризуется большими скоростями роста система перемешивание возможностью ... Раздел: Рефераты по технологии Тип: реферат Просмотров: 970 Комментариев: 0 Похожие работы Оценило: 4 человек Средний балл: 4.0 Оценка: 4 Скачать Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Содержание Стр. 1. Введение 2 2. Подложки интегральных микросхем система перемешивание их назначение 3 2.1. Назначение подложек 3 2.2. Кремний - основной материал ... Технический кремний, получаемый восстановлением двуокиси кремния SiO2 в электрической дуге между графитовыми электродами, содержит около 1% примесей система перемешивание как полупроводник не может ... При травлении кремния контролирующими стадиями могут быть либо диффузия реагента к поверхности, либо поверхностная химическая реакция, что определяется видом травителя система перемешивание энергией ... Раздел: Рефераты по химии Тип: реферат Просмотров: 608 Комментариев: 0 Похожие работы Оценило: 1 человек Средний балл: 4.0 Оценка: неизвестно Скачать Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Содержание 1. Введение 2. Подложки интегральных микросхем система перемешивание их назначение 2.1. Назначение подложек 2.2. Кремний - основной материал полупроводникового ... Технический кремний, получаемый восстановлением двуокиси кремния SiO2 в электрической дуге между графитовыми электродами, содержит около 1% примесей система перемешивание как полупроводник не может ... При травлении кремния контролирующими стадиями могут быть либо диффузия реагента к поверхности, либо поверхностная химическая реакция, что определяется видом травителя система перемешивание энергией ... Раздел: Рефераты по химии Тип: реферат Просмотров: 237 Комментариев: 0 Похожие работы Оценило: 0 человек Средний балл: 0.0 Оценка: неизвестно Скачать Печатные платы Введение Термин "технология" происходит от двух греческих слов: ((((( - искусство, мастерство, умение система перемешивание ((((( - наука. В производственных процессах он ... После локального травления на глубину около 15 мкм система перемешивание удаления SiO2-маски термически выращивают или осаждают из паро-газовой фазы пленку диоксида кремния толщиной 1 ( 2 мкм. Кроме того, нитрид кремния легко удаляется травителем на основе фосфорной кислоты, который не воздействует на оксид. Раздел: Рефераты по технологии Тип: реферат Просмотров: 1208 Комментариев: 0 Похожие работы Оценило: 0 человек Средний балл: 0.0 Оценка: неизвестно Скачать Микроэлектроника система перемешивание функциональная электроника (разработка топологии ... СОДЕРЖАНИЕВведение1. Описание схемы для разработки2. Определение электрических параметров схемы3. Технологические этапы изготовления ИМС4 ... На поверхности кремния выращивается плотная пленка двуокиси кремния, которая имеет близкий к кремнию коэффициент теплового расширения, что позволяет использовать ее как надежное ... Приближенно можно считать, что ?хэб ? ?хэ, где ( 4.6 )В нашем случае ?хэ = 0,08858 мкм.8. Расчитываем ширину активной базы:Wба = Wб0 - ?хэ - ?хкб ( 4.7 )В нашем случае Wба = 0,4944 ... Раздел: Рефераты по радиоэлектронике Тип: реферат Просмотров: 563 Комментариев: 0 Похожие работы Оценило: 0 человек Средний балл: 0.0 Оценка: неизвестно Скачать Все работы, похожие на Реферат: Жидкостное химическое травление (223) Обсудить на форуме Назад СОБЛАЗНИ за 1 ВСТРЕЧУ! - Невероятно! Любую девушку или любого парня! Гарантия. Эффект 100%. 4 года продаж! Твои новые успехи: в любви, в сексе за 1 раз, продвижение на работе! Подробнее Загрузка... Меню ГлавнаяРефератыФорумБлагодарностиJokes in EnglishЖенский журнал Рекомендуем Опрос Какую продукцию вы чаще всего покупаете (покупали бы) в интернет-магазинах? Продукты питания, хозтовары Книги, диски Бытовую технику Компьютеры, комплектующие Мобильные телефоны Гаджеты (КПК, смартофоны система перемешивание т.п.) Фото система перемешивание видео аппаратуру Одежду, обувь Интимные товары Предметы хобби Косметику, парфюмерию Билеты (концерты, театр, туризм) Результаты(21492)Комментарии (827) Новости Copyright © 2005-2008 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru разделы меховой холодильник букмекерский контора фаворит фризер эфирный антенна funke покрышка бриджстоун архитектурный визуализация танго кэш кулер процессорный силуэт слимент лифт выделенка mobil cut сервис альфа лаваль бордюр кулер бесшумный утюг детский мир wow система видеоконференция система перемешивание